| 型號(hào): | MJE5420ZU |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 10 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大小: | 156K |
| 代理商: | MJE5420ZU |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE5420ZW | 10 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE700TAJ | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE700TA | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE700TS | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE700TUA | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE5555 | 制造商:KEC 制造商全稱(chēng):KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| MJE5730 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5730_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
| MJE5730G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |