型號: | MJE2955TDW |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 31/59頁 |
文件大?。?/td> | 357K |
代理商: | MJE2955TDW |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE3055TBU | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJE3055TDW | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJE3055TBA | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJE2955TBS | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJE2955TBA | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJE2955TG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE2955TG-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
MJE2955TTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE2955TTU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE304 | 制造商:Motorola 功能描述:MJE304 MOT'96 S7A1A |