參數(shù)資料
型號(hào)： MJE2955TAU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/59頁
文件大小： 357K
代理商： MJE2955TAU
Selector Guide
2–10
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
0.5
350
2N5657
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD159
30/240
0.05
20
1
40
2N4921
2N4918
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
60
2N4922
2N4919
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
80
2N4923
2N4920
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
1.5
45
BD165
BD166
15 min
0.5
6
20
BD135
BD136
40/250
0.15
12.5
60
BD137
BD138
40/250
0.15
12.5
80
BD169
15 min
0.5
6
20
BD139
BD140
40/250
0.15
12.5
BD140–10
63/160
0.15
12.5
300
MJE13002 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
400
MJE13003 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
2
80
BD237
BD238
25 min
1
3
25
100
MJE270 (2)(11)
MJE271 (2)(11)
1.5k min
0.12
6
15
3
60
MJE181
MJE171
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
80
BD179
BD180
40/250
0.15
3
30
MJE182
MJE172
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
200
BUY49P
30 min
0.5
25
20
4
40
MJE521
MJE371
40 min
1
40
45
BD437
BD438
40 min
2
3
36
BD776 (2)
750 min
2
20
15
60
BD440
25 min
2
3
36
BD677 (2)
BD678 (2)
750 min
1.5
40
BD677A (2)
BD678A (2)
750 min
2
40
BD787
BD788
20 min
2
50
15
BD777 (2)
BD778 (2)
750 min
2
20
15
2N5191
2N5194
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
2N6038 (2)
2N6035 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
80
2N5192
2N5195
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
BD441
BD442
15 min
2
3
36
BD679 (2)
BD680 (2)
750 min
1.5
40
BD679A (2)
BD680A (2)
750 min
2
40
BD789
BD790
10 min
2
40
15
(1) |hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(11)Case 77, Style 3
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2955TAS 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TBG 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2955TDW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TBU 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TDW 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE2955TD127 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MJE2955TG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TG-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE2955TTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TTU_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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