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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE2955TA |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MJE2955TA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE3055TW | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055TD1 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055TC | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055TA | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE3055T16A | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE2955TD127 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE2955TG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE2955TG-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| MJE2955TTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE2955TTU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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