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參數(shù)資料
| 型號： | MJE251 |
| 廠商： | SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | MJE251 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MM3005LEADFREE | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| MPS6507 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSH30 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTA42TRL13 | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MPSA42M1TA | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE252 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE253 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE253G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE253G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE254 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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