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參數(shù)資料
| 型號： | MJE2361TT |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | MJE2361TT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13008T | 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13008U | 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS6521-STYLE-C | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MSC1450 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| MPSA18 | 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE243_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors 100 VOLTS, 15 WATTS |
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