| 型號: | MJE181LEADFREE |
| 廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數: | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商: | MJE181LEADFREE |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE341 | 0.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE182LEADFREE | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE180LEADFREE | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE171LEADFREE | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE221LEADFREE | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJE181STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Power Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE18204 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MJE18206 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |