參數(shù)資料
型號： MJE18009DW
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 45/66頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： MJE18009DW
MJE18009 MJF18009
3–754
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
t,TIME
(ns)
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 7. Resistive Switching, ton
2
0
10
4
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
7
1
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IBoff = IC/2
VCC = 300 V
PW = 20
s
Figure 8. Resistive Switching, toff
5
2
0
10
7
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Inductive Storage Time, tsi
5
2
0
10
3
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
3
1
3
t,TIME
(
s)
4
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IBoff = IC/2
VCC = 300 V
PW = 20
s
4
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 10. Inductive Storage Time
4
IC/IB = 5
6
2
0
15
7
3
hFE, FORCED GAIN
13
4
1
9
TJ = 125°C
TJ = 25°C
Figure 11. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 5
350
100
11
3
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
7
t,TIME
(ns)
300
250
150
TJ = 125°C
TJ = 25°C
200
5
Figure 12. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 10
300
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t,TIME
(ns)
200
100
TJ = 125°C
TJ = 25°C
t,TIME
(
s)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
4
27
9
8
6
IC/IB = 10
,ST
ORAGE
TIME
(
t si
s)
5
3
511
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 3 A
IC = 6.5 A
9
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
tc
tfi
10
3
15
4
27
9
8
6
IBoff = IC/2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
tc
tfi
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18009BU 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BG 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BS 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204AF 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BU 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE181 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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