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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18008BC |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 48/65頁 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008BC |
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Industry
Part Number
Motorola
Nearest
Replacement
Motorola
Similar
Replacement
Page
Number
Industry
Part Number
Motorola
Nearest
Replacement
Motorola
Similar
Replacement
Page
Number
Index and Cross Reference
1–18
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
INDEX AND CROSS REFERENCE (continued)
BDX83B
MJ3001
3–425
BDX83C
MJ4035
—
BDX84
MJ2501
3–425
BDX84A
MJ2501
3–425
BDX84B
MJ2501
3–425
BDX84C
MJ4032
—
BDX91
2N3716
3–12
BDX92
2N3792
3–25
BDX93
2N3716
3–12
BDX94
2N3792
3–25
BDX95
2N5882
3–77
BDX96
2N5880
3–77
BDY29
2N5303
3–54
BDY34
BD787
3–194
BDY37
2N3773
3–21
BDY96
BUX48
3–401
BDY96–1
BUX48
3–401
BDY96/01
BUX48
3–401
BDY97
BUX48
3–401
BDY97–1
BUX48
3–401
BU1008ADF
MJF16018+DIODE
—
BU1008AF
MJF16018
—
BU104P
BU406
3–244
BU105
BU208A
3–226
BU108
BU208A
3–226
BU109P
BU407
3–244
BU124
BU426
—
BU126
BUX48A
3–401
BU134
MJ423
3–419
BU137
MJ16018
3–520
BU157
MJ16018
3–520
BU180
MJE5741
3–640
BU180A
MJE5742
3–640
BU204
BU208A
3–226
BU205
BU208A
3–226
BU205A
BU208A
3–226
BU207
BU208A
3–226
BU208
BU208A
3–226
BU208A
3–226
BU208D
MJF16018+DIODE
—
BU223
MJ423
3–419
BU223A
MJ423
3–419
BU322
BU323A
3–231
BU322A
BU323A
3–231
BU323
BU323A
3–231
BU323A
3–231
BU323AP
3–235
BU323P
BU323AP
3–235
BU323Z
3–239
BU326A
—
BU406
3–244
BU407
3–244
BU426
BUV48
3–391
BU426A
BUV48A
3–391
BU433
BUV48
3–391
BU500
—
BU522
BU522B
3–246
BU522A
BU522B
3–246
BU522B
3–246
BU806
3–249
BU808
BU208A
3–226
BUD43B
3–251
BUD44D2
3–253
BUF420A
MJW18020
—
BUH100
3–278
BUH150
3–287
BUH50
3–262
BUH51
3–270
BUL146
3–335
BUL146F
3–335
BUL147
3–343
BUL147F
3–343
BUL382
BUL45
3–316
BUL43B
3–304
BUL44
3–296
BUL44D2
3–306
BUL44F
3–296
BUL45
3–316
BUL45D2
3–325
BUL45F
3–316
BUS11
MJE16002
3–688
BUS12
BUX48
3–401
BUS12A
BUX48A
3–401
BUS13
BUX48
3–401
BUS13A
BUX48A
3–401
BUS14
BUX98
—
BUS14A
BUX98A
—
BUS46P
MJE16002
3–688
BUS47
BUX48
3–401
BUS47A
BUX48A
3–401
BUS47AP
BUV47A
—
BUS47P
BUV47
—
BUS48
BUX48
3–401
BUS48A
BUX48A
3–401
BUS48AP
MJW16010A
3–847
BUS48P
MJW16010A
3–847
BUS50
3–351
BUS52
—
BUS97
MJ16010
3–512
BUS98
BUX98
3–353
BUS98A
BUX98A
3–353
BUT11AF
3–360
BUT33
3–364
BUT34
3–370
BUT35
—
BUT56A
—
BUT90
BUS50
3–351
BUT91
BUS52
—
BUT92
BUS52
—
BUV10
—
BUV10N
BUV10
—
BUV11
3–376
BUV11N
BUV11
3–376
BUV12
BUV11
3–376
BUV18
BUS50
3–351
BUV19
BUS50
3–351
BUV20
3–379
BUV21
3–382
BUV21N
BUV21
3–382
BUV22
3–385
BUV23
3–388
BUV24
BUX98
—
BUV25
BUX98A
—
BUV44
BUX48
3–401
BUV45
BUX48A
3–401
BUV46
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18009BV | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BC | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AN | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AK | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AJ | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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