參數(shù)資料
型號： MJE18004S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 156K
代理商： MJE18004S
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PDF描述
MJE13004W 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE1800216 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MPS6520-STYLE-D 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MMBT5089/S62Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPS6530-T/R 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
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