參數(shù)資料
型號(hào): MJE18004D2
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8-Bit Dual Supply Bidirectional Transceivers w/3-State Outputs
中文描述: 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 466K
代理商: MJE18004D2
8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
10
4
0
8
2
0
6
8
6
2
4
TIME
9
7
5
3
1
1
3
5
7
IB
IC
Vclamp
tsi
tc
tfi
90% IC
10% IC
90% IB1
10% Vclamp
VCE
0 V
IB
90% IB
1
μ
s
3
μ
s
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
Figure 25. Dynamic Saturation
Voltage Measurements
TIME
V
Figure 26. Inductive Switching Measurements
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 27. tfr Measurements
0
10
6
0
VF
IF
2
8
4
VFR (1.1 VF unless otherwise specified)
VFRM
tfr
VF
0.1 VF
10% IF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJE18004G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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