參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18004
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 466K
代理商： MJE18004
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
DIODE CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
@ TC = 125
°
C
@ TC = 25
°
C
(IEC = 2 Adc)
0.72
1.15
1.7
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance
Cob
60
100
pF
@ TC = 125
°
C
IB2 = 1 Adc
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 1 Adc
VCC = 300 Vdc
1.6
Turn–on Time
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25
°
C
ton
120
150
ns
IC = 2.5 Adc
@ TC = 125
°
C
VZ = 350 V
Storage Time
@ TC = 25
°
C
ts
300
2.12
μ
s
2.4
@ TC = 125
°
C
230
Storage Time
VZ = 300 V
@ TC = 25
°
C
2.1
μ
s
2.4
°
C
100
Storage Time
LC = 200
VZ = 300 V
°
C
0.7
μ
s
Crossover Time
C = 1 Adc
IB1 = 100 mAdc
@ TC = 25
°
C
tc
75
120
0.9
ns
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PDF描述
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MJE18004D2G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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