參數(shù)資料
型號: MJE172
廠商: SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 99K
代理商: MJE172
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS3906,126 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS3703 600 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2369AK 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJ11017 15 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJ16014 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE172 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor
MJE172_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE172G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE172STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2