參數(shù)資料
型號(hào)： MJE15029
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(8.0A,120-150V,50W)
中文描述： 功率晶體管（8.0A ,120 - 150伏，50瓦）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商： MJE15029
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
MJE15030, MJE15031
Collector Cutoff Current
150
—
—
0.1
mAdc
(VCB = 120 Vdc, IE = 0)
(VCB = 150 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
MJE15028, MJE15029
MJE15030, MJE15031
IEBO
—
—
10
10
μ
Adc
(IC = 0.1 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(VCE From 2.0 V to 20 V, IC From 0.1 A to 3 A)
40
2
—
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(2) fT =
hfe
ftest.
fT
30
—
MHz
t, TIME (ms)
0.01
0.01
0.05
1.0
2.0
5.0
10
20
50
500
1.0 k
0.1
0.5
0.2
1.0
0.7
0.2
0.1
0.05
r
Z
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 1.56
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
SINGLE PULSE
R
Figure 2. Thermal Response
0.5
D = 0.5
0.05
0.3
0.07
0.03
0.02
0.02
100
200
0.1
0.02
0.01
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