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參數(shù)資料
| 型號： | MJE13005BD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 453K |
| 代理商： | MJE13005BD |
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MJE13005
3–663
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
CE(sat)
,COLLECT
OR–EMITTER
SA
TURA
TION
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,BASE–EMI
TT
ER
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.1
1.3
0.7
0.3
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.1
0.4
2
4
10
Figure 2. Collector Saturation Region
0.03
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.3
0.05
1.2
0.4
0
100
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
0.1
0.2
0.5
3
Figure 3. Base–Emitter Voltage
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Collector Cutoff Region
2
0.8
0.1
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
TJ = 25°C
0.2
1
Figure 6. Capacitance
2 k
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
Cob
0.3
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(A
)
I C
– 0.4
– 0.2
70
50
300
1.6
0.5
IC = 1 A
TJ = – 55°C
5
0.04
0.6
0.06
0.1
1
0.04
0.4
0.2
0.6
70
50
30
7
300
200
100
20
30
100
50
5
1
0.5
150
°C
IC/IB = 4
+ 0.6
2 A
0.7
1
2
0.9
0.35
0.55
0.25
0.05
0.45
0.06
VCE = 2 V
VCE = 5 V
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
2
0.15
+ 0.4
+ 0.2
1
10
100
1 k
10 k
500
700
1 k
10
30
REVERSE
FORWARD
VCE = 250 V
VBE(sat) @ IC/IB = 4
VBE(on) @ VCE = 2 V
20
3 A
4 A
4
25
°C
25
°C
0.06
0.1
1
0.04
0.4
0.2
0.6
2
4
3
TJ = – 55°C
25
°C
150
°C
TJ = 150°C
125
°C
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13005AN | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AJ | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AF | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJE13005BA | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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