- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄95950 > MJE13004-DR6280 (HARRIS SEMICONDUCTOR) 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE13004-DR6280 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | MJE13004-DR6280 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13004-6261 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13005-6261 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13005-DR6274 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13005-6255 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13004-6258 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE13005 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE13005 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE13005_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS |
| MJE13005_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |
| MJE13005_12 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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