參數(shù)資料
型號： MJD44H11T4G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD44H11T4G
3
Motorola Bipolar Power Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
1
2
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.175
0.050
0.030
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
1.27
0.77
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.090
0.050
1.01
0.58
9.65
5.46
2.28
1.27
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.175
0.020
0.020
0.030
0.138
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.050
–––
0.050
–––
5.46
1.27
–––
1.27
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD44H11T5 SILICON POWER TRANSISTORS
MJD44H11-1 Card Edge Connector; No. of Contacts:56; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
MJD44H11T4 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD44E3 OSCILLATOR VC-TXO 19.44MHZ SMD
MJD44E3-1 NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD44H11T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD44H11T5 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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