參數(shù)資料
型號(hào)： MJD44H11T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
中文描述： 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： MJD44H11T4
2
Motorola Bipolar Power Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
ICES
—
—
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(IC = 10 Adc, IB = 20 mAdc)
DC Current Gain
VCE(sat)
—
—
Vdc
2
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 10 mAdc)
1000
—
—
2.5
hFE
—
—
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
Ccb
—
—
130
pF
(IC = 10 Adc, IB1 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
tf
—
0.5
—
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
5
10
20
100
5
I
2
1
0.2
0.1
0.5
50
2
30
1
Figure 1. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
Figure 2. Power Derating
TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC = 25
°
C SINGLE PULSE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
0.3
3
100
μ
s
1 ms
5 ms
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PDF描述
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