參數(shù)資料
型號(hào): MJD44H11-1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Card Edge Connector; No. of Contacts:56; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
中文描述: 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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文件大?。?/td> 80K
代理商: MJD44H11-1
2
Motorola Bipolar Power Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
ICES
10
μ
A
Emitter Cutoff Current
(IC = 10 Adc, IB = 20 mAdc)
DC Current Gain
VCE(sat)
Vdc
2
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 10 mAdc)
1000
2.5
hFE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector Capacitance
Ccb
130
pF
(IC = 10 Adc, IB1 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB1 = IB2 = 20 mAdc)
tf
0.5
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
5
10
20
100
5
I
2
1
0.2
0.1
0.5
50
2
30
1
Figure 1. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
Figure 2. Power Derating
TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC = 25
°
C SINGLE PULSE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
0.3
3
100
μ
s
1 ms
5 ms
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJD44H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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