參數(shù)資料
型號: MJD44
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications
中文描述: 通用電源和開關(guān)的輸出驅(qū)動器或應(yīng)用階段,例如的D -表面貼裝應(yīng)用巴基斯坦
文件頁數(shù): 3/4頁
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代理商: MJD44
3
Motorola Bipolar Power Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
1
2
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.175
0.050
0.030
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
1.27
0.77
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.090
0.050
1.01
0.58
9.65
5.46
2.28
1.27
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
STYLE 3:
PIN 1.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
2.
3.
4.
STYLE 4:
PIN 1.
CATHODE
ANODE
GATE
ANODE
2.
3.
4.
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
ANODE
CATHODE
ANODE
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
PLANE
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
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0.090 BSC
0.175
0.020
0.020
0.030
0.138
MAX
0.250
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0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
4.58 BSC
0.87
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2.60
2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
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1.01
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0.215
0.050
–––
0.050
–––
5.46
1.27
–––
1.27
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
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PDF描述
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MJD44E3T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD44H11 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2