參數(shù)資料
型號： MJD3055-1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:12; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
中文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 202K
代理商： MJD3055-1
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
t
μ
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.7
500
300
200
100
30
20
50
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
0.5
0.3
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 1. Power Derating
Figure 2. DC Current Gain
0.01
0.02
0.05
1
10
2
5
0.1
Figure 3. Turn–On Time
Figure 4. “On” Voltages, MJD3055
TJ = 25
°
C
tr
TJ = 150
°
C
–55
°
C
25
°
C
1
0.7
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. Turn–Off Time
0.2
1
6
0.6
2
0.06
0.4
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.1
0.2
0.3
1
10
2
5
0.5
3
h
VCE = 2 V
10
5
0.5
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TC
TA
SURFACE
MOUNT
ts
1.4
0.8
0.6
0
1.2
1
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
0.05
0.03
0.02
0.1
0.07
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2 V
0.1
0.05
0.07
0.1
td @ VBE(off)
≈
5 V
0.2
1
6
0.6
2
0.06
0.4
4
0.1
t
μ
tf
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD2955T4 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055T4 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD2955 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
MJD31 SILICON POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 40 AND 100 VOLTS 15 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD30CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*