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型號: | MJD243-1 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS |
中文描述: | 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數: | 2/6頁 |
文件大?。?/td> | 209K |
代理商: | MJD243-1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD243T4 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS |
MJD2955 | SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS |
MJD3055 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJD2955 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJD3055 | Complementary Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MJD243G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD243G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MJD243T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD243T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD253 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
*型號 | *數量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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