參數(shù)資料
型號： MJD200T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
中文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： MJD200T4
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount
Applications
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
High DC Current Gain — hFE= 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
= 45 (Min) @ IC = 2 Adc
= 10 (Min) @ IC = 5 Adc
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat)= 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
= 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
High Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Base Voltage
Symbol
VCB
Value
40
Unit
Vdc
Base Current
PD
1
12.5
Adc
Watts
Total Device Dissipation @ TC = 25 C
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θ
JC
Max
10
Unit
C/W
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle
REV 1
—
100
2%.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJD200/D
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
5 AMPERES
25 VOLTS
12.5 WATTS
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0
6
0
1
0
3
0
1
0
4
0
4
inches
mm
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PDF描述
MJD210 SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
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MJD210 D-PAK for Surface Mount Applications
MJD200 D-PAK for Surface Mount Applications
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參數(shù)描述
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MJD200T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP DPAK 5A 25V TR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD200TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD210_10 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
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