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參數(shù)資料
| 型號： | MJD148T4 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 369A-13, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | MJD148T4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3055ET4 | 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD8N06ET4 | 8 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20T4 | 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD4N20 | 4 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| MTD10N05ET4 | 10 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD148T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor |
| MJD18002D2T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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