參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 578K
代理商： MJD122T4
MJD122, MJD127
Electrical ratings
Doc ID 3541 Rev 11
3/12
1
Electrical ratings
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
100
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
100
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
8
A
ICM
Collector peak current
16
A
IB
Base current
0.12
A
PTOT
Total dissipation at Tcase = 25°C
20
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-c
Thermal resistance junction-case max.
6.25
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD13003-I 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13003 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13003T4 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD18002D2-1 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD32-1 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
MJD122T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
MJD122TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122-TP 功能描述:TRANS NPN 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*