參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MJD122T4
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS — continued
Symbol
Min
Max
Unit
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ICEX
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
—
2
mAdc
ON CHARACTERISTICS
(IC = 4 Adc, IB = 16 mAdc)
100
—
—
2
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
VBE(sat)
—
4.5
Vdc
Current–Gain–Bandwidth Product
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance
Cob
4
—
MHz
pF
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2%.
Figure 1. Power Derating
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
MJD243 NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS
MJD243T4G Complementary Silicon Plastic Power Transistor
MJD243T4 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
MJD243-1 NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD122T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V D-PAK
MJD122T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
MJD122TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122-TP 功能描述:TRANS NPN 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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