參數(shù)資料
型號: MJD117T4
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Darlington Power Transistors
中文描述: 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 394K
代理商: MJD117T4
2003. 3. 27
2/2
MJD117/L
Revision No : 4
S
C
COLLECTOR CURRENT I (A)
V , V - I
C
-0.1
-0.5
-0.3
-0.03
-0.01
-0.1
-1
-3
-0.3
-1
-3 -5
-10
I /I =250
-5
V
BE(sat)
V
CE(sat)
B
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V (V)
CB
C - V
C
o
100
D
50
F
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
COLLECTOR CURRENT I (mA)
h - I
C
-1
-3
-5
300
500
1k
3k
5k
V =-3V
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30 -50
10
30
50
100
300
500
P - Ta
CASE TEMPERATURE Ta ( C)
0
C
0
P
50
100
150
200
5
10
15
20
25
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V)
SAFE OPERATING AREA
C
-1
-0.01
C
-3
-10
-30
-100
-200
-0.03
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
-1
-3
-5
-10
SINGLE NONREPETIVE
PULSE Tc=25 C
CURVES MUST BE DREATED
LINEARLY WITH INCREASE
IN TEMPERATURE
*
I MAX.(PULSED) *
I MAX.
(CONTINUOUS)
DC OPERATION
Tc=25 C
100
μ
S*
500
μ
S*
1mS*
5mS*
Tc=25 C
Ta=25 C
1
2
1
2
相關PDF資料
PDF描述
MJD117 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117L EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
MJD148T4 NPN Silicon Power Transistor
MJD49T4 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
MJE13002A GT 26C 26#16 SKT PLUG
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD117TF 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD122_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD122_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:nullLow voltage power Darlington transistor