型號: | MJD117T4 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Complementary Darlington Power Transistors |
中文描述: | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 394K |
代理商: | MJD117T4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD117 | Complementary Darlington Power Transistors |
MJD117L | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) |
MJD148T4 | NPN Silicon Power Transistor |
MJD49T4 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
MJE13002A | GT 26C 26#16 SKT PLUG |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD117T4G | 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD117TF | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Silicon Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD122 | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJD122_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor |
MJD122_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:nullLow voltage power Darlington transistor |