參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
中文描述： 外延平面PNP晶體管（單片施工技術(shù)基礎(chǔ)之上的發(fā)射極分流器工業(yè)用途。）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 394K
代理商： MJD117
2003. 3. 27
2/2
MJD117/L
Revision No : 4
S
C
COLLECTOR CURRENT I (A)
V , V - I
C
-0.1
-0.5
-0.3
-0.03
-0.01
-0.1
-1
-3
-0.3
-1
-3 -5
-10
I /I =250
-5
V
BE(sat)
V
CE(sat)
B
COLLECTOR-BASE VOLTAGE V (V)
CB
C - V
C
o
100
D
50
F
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
COLLECTOR CURRENT I (mA)
h - I
C
-1
-3
-5
300
500
1k
3k
5k
V =-3V
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30 -50
10
30
50
100
300
500
P - Ta
CASE TEMPERATURE Ta ( C)
0
C
0
P
50
100
150
200
5
10
15
20
25
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V)
SAFE OPERATING AREA
C
-1
-0.01
C
-3
-10
-30
-100
-200
-0.03
-0.05
-0.1
-0.3
-0.5
-1
-3
-5
-10
SINGLE NONREPETIVE
PULSE Tc=25 C
CURVES MUST BE DREATED
LINEARLY WITH INCREASE
IN TEMPERATURE
*
I MAX.(PULSED) *
I MAX.
(CONTINUOUS)
DC OPERATION
Tc=25 C
100
μ
S*
500
μ
S*
1mS*
5mS*
Tc=25 C
Ta=25 C
1
2
1
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD117-001 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117G Complementary Darlington Power Transistors
MJD117T4 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117 Complementary Darlington Power Transistors
MJD117L EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD117-001 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117-001G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Rail
MJD117-1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD117G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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