參數(shù)資料
型號(hào)： MJD112RL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Darlington Power Transistors
中文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 306K
代理商： MJD112RL
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
–55
°
C TO 25
°
C
0.4
1
–4.8
2
4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
–0.4
,
I
μ
103
102
101
100
+0.2 +0.4
+0.6
TJ = 150
°
C
100
°
C
REVERSE
FORWARD
25
°
C
–0.2
VCE = 30 V
105
–0.6
+0.8
+1
+1.2 +1.4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
+0.4
,
I
μ
103
102
101
100
–0.2
–0.4 –0.6
105
+0.6
+0.2
–0.8
–1
–1.2 –1.4
+0.8
–4
–3.2
–2.4
–1.6
–0.8
θ
VC FOR VBE
25
°
C TO 150
°
C
25
°
C TO 150
°
C
*
θ
VC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
NPN
0
–4.8
+0.8
–4
–3.2
–2.4
–1.6
–0.8
V
θ
°
V
θ
°
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*
θ
VC FOR VCE(sat)
θ
VB FOR VBE
25
°
C TO 150
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
25
°
C TO 150
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112T4 Complementary Darlington Power Transistors
MJD112T4G Complementary Darlington Power Transistors
MJD112 NEUTRAL LINK KIT, FG-B; RoHS Compliant: NA
MJD1121 SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD112T4 SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
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參數(shù)描述
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MJD112TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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