參數(shù)資料
型號： MJD112L
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
中文描述： 外延平面NPN晶體管（單片施工技術基礎之上的發(fā)射極分流器工業(yè)用途。）
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： MJD112L
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
2
3
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
R
B
F
G
D
3 PL
0.13 (0.005)
M
T
C
E
J
H
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.090 BSC
0.034
0.018
0.350
0.175
0.050
0.030
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
2.29 BSC
0.87
0.46
8.89
4.45
1.27
0.77
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.380
0.215
0.090
0.050
1.01
0.58
9.65
5.46
2.28
1.27
CASE 369–07
ISSUE K
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
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C
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SEATING
Z
DIM
A
B
C
D
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G
H
J
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L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
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MAX
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MIN
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2.19
0.69
0.84
0.94
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2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
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0.050
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0.050
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1.27
–––
1.27
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NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
1
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4
How to reach us:
USA/EUROPE
: Motorola Literature Distribution;
P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona 85036. 1–800–441–2447
JAPAN
: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki,
6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315
MFAX
: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE (602) 244–6609
INTERNET
: http://Design–NET.com
HONG KONG
: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,
51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298
MJD112/D
相關PDF資料
PDF描述
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MJD122T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD112RL 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112RLG 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112T4 功能描述:達林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V TO-252 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-252
MJD112T4G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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