參數(shù)資料
型號： MJD112-001
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Darlington Power Transistors
中文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 306K
代理商： MJD112-001
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
–55
°
C TO 25
°
C
0.4
1
–4.8
2
4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
–0.4
,
I
μ
103
102
101
100
+0.2 +0.4
+0.6
TJ = 150
°
C
100
°
C
REVERSE
FORWARD
25
°
C
–0.2
VCE = 30 V
105
–0.6
+0.8
+1
+1.2 +1.4
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
+0.4
,
I
μ
103
102
101
100
–0.2
–0.4 –0.6
105
+0.6
+0.2
–0.8
–1
–1.2 –1.4
+0.8
–4
–3.2
–2.4
–1.6
–0.8
θ
VC FOR VBE
25
°
C TO 150
°
C
25
°
C TO 150
°
C
*
θ
VC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
NPN
0
–4.8
+0.8
–4
–3.2
–2.4
–1.6
–0.8
V
θ
°
V
θ
°
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*
θ
VC FOR VCE(sat)
θ
VB FOR VBE
25
°
C TO 150
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
25
°
C TO 150
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
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PDF描述
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MJD112T4G Complementary Darlington Power Transistors
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參數(shù)描述
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