參數(shù)資料
型號(hào)： MJB44H11
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Card Edge Connector; No. of Contacts:44; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
中文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： MJB44H11
MJB44H11 (NPN), MJB45H11 (PNP)
http://onsemi.com
4
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
1000
0.1
Figure 4. MJB44H11 DC Current Gain
10
1
10
100
Figure 5. MJB45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJB44H11 Current Gain
versus Temperature
Figure 7. MJB45H11 Current Gain
versus Temperature
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
Figure 8. MJB44H11 OnVoltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
T
J
= 25
°
C
Figure 9. MJB45H11 OnVoltages
V
CE
= 1 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
S
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
V
CE
= 4 V
1000
0.1
10
1
10
100
T
J
= 25
°
C
1 V
T
J
= 125
°
C
25
°
C
40
°
C
h
1000
0.1
10
1
10
100
V
CE
= 1 V
V
BE(sat)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJB44H11T4 Complementary Power Transistors
MJB45H11 Complementary Power Transistors
MJB45H11T4 Complementary Power Transistors
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MJF32C 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
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參數(shù)描述
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MJB44H11G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB44H11T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJB44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MJB44H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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