參數(shù)資料
型號(hào)： MJ21195
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 149K
代理商： MJ21195
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 14. MJ21195 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 15. MJ21196 Typical Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS
TOTAL HARMONIC
DISTORTION
ANALYZER
SOURCE
AMPLIFIER
50
0.5
0.5
8.0
–50 V
DUT
DUT
+50 V
Figure 16. Typical Total Harmonic Distortion
Figure 17. Total Harmonic Distortion Test Circuit
FREQUENCY (Hz)
TH
D
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
10000
1000
100
100
10
1.0
0.1
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
100000
10000
1000
100
10
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cib
Cob
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
Cib
Cob
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ21196 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJ3281A 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 250 WATTS
MJ1302A COMEPLEMENTARY NPN-PNP SILICON POWER BOPOLAR TRANSISTOR
MJB44H11 Card Edge Connector; No. of Contacts:44; Pitch Spacing:0.156"; Contact Termination:Solder; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Hole Dia:0.128" RoHS Compliant: Yes
MJB44H11T4 Complementary Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ21195_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors
MJ21195G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ21196 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ21196G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ21294 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor
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