參數(shù)資料
型號(hào)： MJ14000
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 60 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 224K
代理商： MJ14000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE13004C 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE13008C 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE13005W 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MMBT2907 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MPS6717 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJ14001_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:High?Current Complementary Silicon Power Transistors
MJ14001G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 60V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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