參數(shù)資料
型號(hào)： MJ11029
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
中文描述： 50 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 153K
代理商： MJ11029
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
Curves to 100 A (Pulsed)
Diode Protection to Rated IC
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
ICM
100
Base Current — Continuous
Peak
IB
PD
2
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
300
Watts
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
3.0 k
≈
25
PNP
MJ11029
MJ11031
MJ11033
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
3.0 k
≈
25
NPN
MJ11028
MJ11030
MJ11032
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11028/D
50 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
60–120 VOLTS
300 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
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PDF描述
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MJ11032 COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJ11030G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 BIP NPN 50A 90V FG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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