參數(shù)資料
型號(hào): MJ11022
廠商: 永盛國(guó)際集團(tuán)
元件分類: 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述: Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
中文描述: 雙通道高效率,低噪聲,同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 235K
代理商: MJ11022
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
MIN
1.550 REF
–––
0.250
0.038
0.055
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.665 BSC
–––
0.151
1.187 BSC
0.131
MAX
MIN
39.37 REF
–––
6.35
0.97
1.40
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
16.89 BSC
–––
3.84
30.15 BSC
3.33
MAX
MILLIMETERS
INCHES
1.050
0.335
0.043
0.070
26.67
8.51
1.09
1.77
0.480
12.19
0.830
0.165
21.08
4.19
0.188
4.77
A
N
E
C
K
–T–
SEATING
2 PL
0.13 (0.005)
D
M
Q
M
Y
M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11017 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11021 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11022 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11017 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
MJ11021 POWER TRANSISTORS(15A,150-250V,175W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11022G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 BIP T03 NPN 15A 250V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11022G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11028 功能描述:達(dá)林頓晶體管 50A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11028 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11028_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High−Current Complementary Silicon Power Transistors