參數(shù)資料
型號： MJ11014
廠商： 永盛國際集團
元件分類： 基準電壓源/電流源
英文描述： Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
中文描述： 雙通道高效率，低噪聲，同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： MJ11014
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc
Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistor
Rating
Collector–Emitter Voltage
Symbol
MJ11012
MJ11014
90
MJ11016
120
Unit
Vdc
Collector–Base Voltage
60
90
120
Vdc
Emitter–Base Voltage
5
60
Vdc
Collector Current
30
Adc
Base Current
1
Adc
Derate above 25 C @ TC = 100 C
200
Watts
Operating Storage Junction
TJ, Tstg
–55 to +200
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θ
JC
TL
Max
0.87
Unit
C/W
Maximum Lead Temperature for
275
C
Figure 1. Darlington Circuit Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
PNP
MJ11013
MJ11015
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8.0 k
≈
40
NPN
MJ11012
MJ11014
MJ11016
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ11012/D
30 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60–120 VOLTS
200 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11015 Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
MJ11013 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11014 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJ11014 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
MJ11015 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS
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參數(shù)描述
MJ11015 功能描述:達林頓晶體管 30A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11015 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11015_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors
MJ11015G 功能描述:達林頓晶體管 30A 120V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11016 功能描述:達林頓晶體管 30A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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