| 型號: | MJ11011 | 
| 廠商: | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. | 
| 英文描述: | POWER TRANSISTORS(30A,60-120V,200W) | 
| 中文描述: | 功率晶體管(30A條,60 - 120伏特,功率200W) | 
| 文件頁數(shù): | 1/3頁 | 
| 文件大?。?/td> | 140K | 
| 代理商: | MJ11011 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| MJ11012 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators | 
| MJ11011 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators | 
| MJ11016 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators | 
| MJ11012 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 
| MJ11012 | 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| MJ11012 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 30A 60V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel | 
| MJ11012_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors | 
| MJ11012G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 30A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel | 
| MJ11012G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR | 
| MJ11013 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |