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參數資料
| 型號： | MH16S64BAMD-6 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 1,073,741,824-BIT ( 16,777,216-WORD BY 64-BIT ) Synchronous DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1073741824位（16,777,216字64位）同步動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 28/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1042K |
| 代理商： | MH16S64BAMD-6 |
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MH16S64AMA -8,-10,-12
1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MITSUBISHI LSIs
( 28
MITSUBISHI
ELECTRIC
4. Mar.1997
Preliminary Spec.
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MIT-DS-0127-0.0
DQM CONTROL
DQMB0-7 is a dual function signal defined as the data mask for writes and the output
disable for reads. During writes, DQMB0-7 masks input data word by word. DQMB0-7
to write mask latency is 0.
During reads, DQMB0-7 forces output to Hi-Z word by word. DQMB0-7 to output Hi-Z
latency is 2.
DQM Function
CK
Command
DQ
Write
D0
D2
D3
DQMB0-7
READ
Q0
Q1
Q3
masked by DQM=H
disabled by DQM=H
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MH16S64BAMD-7 | 1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH16S64BAMD-8 | 1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH16S64DAMD-6 | 1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S64DAMD-7 | 1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S72AMA-10 | 1207959552-BIT (16777216 - WORD BY 72-BIT)SynchronousDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MH16S64BAMD-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH16S64BAMD-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM |
| MH16S64DAMD-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S64DAMD-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
| MH16S64DAMD-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:1073741824-BIT (16777216 - WORD BY 64-BIT)Synchronous DRAM |
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