參數(shù)資料
型號(hào): MGSF1P02LT1
廠(chǎng)商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA,20V,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 750 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商: MGSF1P02LT1
MGSF1P02LT1
http://onsemi.com
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Notes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1G 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT3 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGSF1P02LT3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
MGSF2N02E 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1 功能描述:MOSFET 20V 2.8A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MGSF2N02ELT1G 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube