參數(shù)資料
型號: MGSF1P02ELT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23
中文描述: 750 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 195K
代理商: MGSF1P02ELT3
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
ISSUE AE
SOT–23 (TO–236AB)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
STYLE 21:
PIN 1.
GATE
SOURCE
DRAIN
2.
3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGSF1P02LT3 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
MGSF1P02LT3 P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF3441XT1 Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3441XT3 Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors
MGSF3454VT1 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGSF1P02LT1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MGSF1P02LT3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
MGSF2N02E 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02EL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
MGSF2N02ELT1 功能描述:MOSFET 20V 2.8A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube