參數(shù)資料
型號： MGSF1N03LT3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
中文描述： 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝： MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 183K
代理商： MGSF1N03LT3G
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
CASE 318–08
ISSUE AE
SOT–23 (TO–236AB)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0180
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0236
0.0401
0.0984
0.0236
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.45
0.89
2.10
0.45
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.60
1.02
2.50
0.60
MILLIMETERS
INCHES
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
STYLE 21:
PIN 1.
GATE
SOURCE
DRAIN
2.
3.
相關PDF資料
PDF描述
MGSF1N03LT3 CHOKE, POWER, SHIELDED, 4.7UH; Inductor type:Shielded Power Choke; Inductance:4.7uH; Tolerance, inductance:+/-30%; Resistance:35mR; Frequency, resonant:42MHz; Case style:SMD Shielded; Q factor:8; Material, core:Ferrite DR/RI; RoHS Compliant: Yes
MGSF1P02LT1 P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MGSF1P02ELT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23
MGSF1P02ELT3 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P?Channel SOT?23
MGSF1P02LT3 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
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參數(shù)描述
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MGSF1P02LT3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
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