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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGP4N60E |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 中文描述： | 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | MGP4N60E |
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
STYLE 9:
PIN 1.
GATE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGP7N60E | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGP7N60E | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGS05N60D | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGS05N60D | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| MGS13002D | Insulated Gate Bipolar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGP4N60ED | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ONS 功能描述:ON SEMICONDUCTOR NXF7C 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MGP50-1000-B | 制造商:RCD 制造商全稱:RCD COMPONENTS INC. 功能描述:METAL FILM MELF RESISTORS |
| MGP50-1000-C | 制造商:RCD 制造商全稱:RCD COMPONENTS INC. 功能描述:METAL FILM MELF RESISTORS |
| MGP50-1000-D | 制造商:RCD 制造商全稱:RCD COMPONENTS INC. 功能描述:METAL FILM MELF RESISTORS |
| MGP50-1000-F | 制造商:RCD 制造商全稱:RCD COMPONENTS INC. 功能描述:METAL FILM MELF RESISTORS |
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