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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGFC45V5964A |
| 廠(chǎng)商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 5.9 - 6.4 GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| 中文描述： | 5月9日至六月四號(hào)GHz頻段32W內(nèi)部匹配砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MGFC45V5964A |
27-March'98
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFC45V5964A
5.9 - 6.4 GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25 Deg.C)
S PARAMETERS
(Ta=25 Deg.C , V
DS
=10V , I
DS
=8A)
S Parameters (TYP.)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
(GHz)
5.90
6.00
6.10
6.20
6.30
6.40
Magn.
0.61
0.55
0.48
0.41
0.34
0.28
Angle(deg.)
159
138
115
92
65
36
Magn.
2.957
3.071
3.119
3.148
3.143
3.122
Angle(deg.)
-44
-62
-81
-100
-118
-137
Magn.
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
Angle(deg.)
-117
-134
-152
-167
175
160
Magn.
0.21
0.22
0.25
0.26
0.26
0.25
Angle(deg.)
160
134
112
91
73
55
MITSUBISHI
ELECTRIC
PRELIMINARY
Notice : This is not a final specification.
Some parametric limits are subject to change.
P1dB ,GLP vs. f
41
42
43
44
45
46
47
5.8
5.9
6.0
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
FERQUENCY (GHz)
O
8
9
10
11
12
13
14
L
P1dB
GLP
VDS=10(V)
IDS=8(A)
Po IM3 vs. Pin
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
INPUT POWER Pin(dBm S.C.L.)
O
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
I
Po
IM3
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.4(GHz)
Delta f=10(MHz)
Po , PAE vs. Pin
25
30
35
40
45
50
20
25
30
35
40
45
INPUTPOWER Pin(dBm)
O
0
10
20
30
40
50
P
VDS=10(V)
IDS=8(A)
f=6.15(GHz)
Po
PAE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFK33V4045 | 14.0-14.5GHz BAND 2W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK36V4045 | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 100V 50A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL |
| MGFX36V0717 | 10.7 - 11.7GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MH80625C | Protection SIP Preliminary Information |
| MH80626C | Battery Feed/Protection SIP Preliminary Information |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFC45V5964A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:5.9 - 6.4 GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC45V6472A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:6.4-7.2GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC45V6472A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:6.4-7.2GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC47A4450 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:4.4~5.0GHz BAND 50W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC47A7785 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:7.7 - 8.5GHz BAND 50W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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