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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGFC36V3436 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 3.4 - 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| 中文描述： | 3.4 - 3.6GHz的頻段4瓦內(nèi)部匹配砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | MGFC36V3436 |
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFC36V3436
3.4 - 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25deg.C)
S parameters
( Ta=25deg.C , VDS=10(V),IDS=1.2(A) )
S-Parameters (TYP.)
f
S11
S21
S12
S22
(GHz)
3.30
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
Magn.
Angle(deg)
0.48
-179
4.148
29
0.06
-38
0.28
-136
3.35
0.49
166
4.146
16
0.06
-52
0.29
-150
3.40
0.49
159
4.127
9
0.06
-58
0.29
-157
3.45
0.49
145
4.111
-4
0.06
-70
0.30
-170
3.50
0.48
133
4.119
-17
0.06
-79
0.31
178
3.55
0.46
126
4.123
-24
0.07
-85
0.32
171
3.60
0.43
112
4.079
-37
0.07
-97
0.33
158
3.65
0.38
0.36
98
88
4.072
4.049
-51
-59
0.07
0.07
-113
-118
0.33
0.33
145
140
3.70
18-Sep-'98
MITSUBISHI
ELECTRIC
P1dB,GLP vs. f
32
33
34
35
36
37
38
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
FREQUENCY f(GHz)
O
11
12
13
14
15
16
17
L
P1dB
GLP
VDS=10(V)
IDS=1.2(A)
Po,IM3 vs Pin
19
21
23
25
27
29
31
33
7
9
11
13
15
17
19
21
INPUT POWER Pin(dBm S.C.L.)
O
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
I
Po
PAE
VDS=10(V)
IDS=1.2(A)
f=3.6GHz
Delta f=5(MHz)
Po,PAE vs. Pin
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
10
15
20
25
30
35
INPUT POWER Pin (dBm)
O
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
P
Po
PAE
VDS=10(V)
IDS=1.2(A)
f=3.5(GHz)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFC36V5258 | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 20V 50A-Ifsm 0.5Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL |
| MGFC36V3742A | 3.7 - 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V5964A | DIODE, SCHTKY, 2A, 20V, SMA |
| MGFC36V6472A | 6.4 - 7.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V7177A | B230A, SCHOTTKY RECTIFIER, SMA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGFC36V3436_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.4 ~ 3.6GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3436_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
| MGFC36V3742A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3742A_04 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:3.7 ~ 4.2GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFC36V3742A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:C band internally matched power GaAs FET |
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