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參數(shù)資料
| 型號： | MGF1801 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | MGF1801 |
MGF1801B
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
MICROWAVE POWER GaAs FET
Nov. ′97
P
O
vs. P
in
(f=12GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
-5
15
10
5
15
30
Gain:10dB
P
O
25
20
10
0
0
5
20
25
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
a
=25C)
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
10
100
200
0
V
GS
=-0.5V/step
4
6
8
V
GS
=0V
P
O
vs. P
in
(f=8GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
-5
15
10
5
15
30
V
DS
=6V
V
DS
=4V
25
20
10
0
0
5
20
25
I
D
=100mA
Gain:10dB
P
O
V
DS
=6V
V
DS
=4V
I
D
=100mA
8
64 2
8
64 2
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PDF描述 |
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