- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371102 > MGF0910A (Mitsubishi Electric Corporation) L, S BAND POWER GaAs FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MGF0910A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | L, S BAND POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 升，S波段砷化鎵場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | MGF0910A |
MGF0910A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET
L, S BAND POWER GaAs FET
Nov. ′97
I
D
vs. V
DS
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
0
2
5
0
2
4
V
GS
=-0.5V/Step
T
a
=25C
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
D
vs. V
GS
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
-3
-2
0
2
4
6
0
V
DS
=3V
T
a
=25C
1
3
4
6
-1
6
V
GS
=0V
P
O
& add vs. P
in
(f=2.3GHz)
INPUT POWER P
in
(dBm)
0
30
20
20
30
V
DS
=10V
I
D
=1.3A
40
50
40
30
20
10
0
η
add
G
p
=11 10 9 dB
P
O
G
LP
,P
1dB
, I
D
and add vs. V
DS
(f=2.3GHz)
V
DS
(V)
6
37
8
20
10
I
D
=1.3A
13
12
11
10
η
add
P
1dB
39
35
40
G
LP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGF0911A | L, S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0913A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] |
| MGF0915A | L & S BAND GaAs FET[ SMD non - matched ] |
| MGF0918A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] |
| MGF0919A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non matched ] |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGF0910A_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0910A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0911A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0911A_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L, S BAND POWER GaAs FET |
| MGF0911A_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。