| 型號(hào): | MGF0907 | 
| 廠商: | Mitsubishi Electric Corporation | 
| 英文描述: | L,S BAND POWER GaAs FET | 
| 中文描述: | 升,S波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 125K | 
| 代理商: | MGF0907 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| MGF0907B | L,S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0909 | L,S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0909A | L,S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0910A | L, S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0911A | L, S BAND POWER GaAs FET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| MGF0907B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) | 
| MGF0907B_1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0907B_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) | 
| MGF0909 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET | 
| MGF0909A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:L,S BAND POWER GaAs FET |