參數資料
型號： MG800J2YS50A
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數： 5/7頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： MG800J2YS50A
MG800J2YS50A
2002-10-31
5
Switching time – I
C
Switching loss – I
C
Collector current I
C
(A)
Collector current I
C
(A)
S
S
R
d
Forward current I
F
(A)
t
rr
, I
rr
– I
F
P
r
R
r
Forward current I
F
(A)
E
dsw
– I
F
Eon
1
100
900
0
10
600
200
400
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
RG 4.7
Tj 25°C
Tj 125°C
100
500
800
300
700
3
5
30
50
Eoff
Common cathode
di/dt 2000 A/ s
VGE 15 V
VCC 300 V
Tj 25°C
Tj 125°C
1
1000
800
0
100
600
200
400
10
trr
Irr
Common cathode
di/dt 2000 A/ s
VGE 10 V
VCC 300 V
Tj 25°C
Tj 125°C
1
1000
800
0
100
600
200
400
10
toff
td (on)
ton
10
10000
900
0
100
600
200
400
1000
Common emitter
VCC 300 V
VGE 15 V
RG 4.7
Tj 25°C
Tj 125°C
100
500
800
300
700
tr
tf
td (on)
相關PDF資料
PDF描述
MG90V2YS40 WIRE, ETFE, TEFZEL, 14AWG, WHITE, 100M; Area, conductor CSA:1.675mm2; Conductor make-up:37/0.250; Voltage rating, AC:600V; Current rating:23A; Colour, primary insulation:White; Material, primary insulation:Tefzel; Diameter, RoHS Compliant: Yes
MGF0904 L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0904A L,S BAND POWER GaAs FET
MGF0905 MINIATURE POWER RELAY
MGF0905A L,S BAND POWER GaAs FET
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