參數(shù)資料
型號(hào): MG15J6ES40
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 524K
代理商: MG15J6ES40
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG180V2YS40 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG200Q1JS40 Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
MG200Q1US41 Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA RoHS Compliant: Yes
MG200Q1US51 Triac; Thyristor Type:Logic Level; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):12A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:12A; Gate Trigger Current Max, Igt:5mA RoHS Compliant: Yes
MG200Q1ZS11 IND PROX M18 SCR NC 5MM SS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG15M2YK1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG15M2YL1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG15N2CK1 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TECHENICAL DATA
MG15N2Y 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG15N2YK1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES